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哈默納科

日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH

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  • 類別:哈默納科
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氧化(Oxidation)工藝的主要目的是在硅襯底表面形成SiO2氧化膜。日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH SiO2在微電子和微系統中的主要應用包括:鈍化晶體表面,形成化學和電的穩定表面,日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH即器件表面保護或鈍化膜;作為后續工藝步驟(擴散或離子注入)的掩模(摻雜掩模、刻蝕掩模);形成介質膜用于器件間的隔離或作器件結構中的絕緣層(非導電膜);在襯底或其他材料間形成界面層(或犧牲層)。

熱氧化是指在高溫爐中反應,形成較厚的SiO2氧化層的過程,日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH也稱為熱生長法。根據不同的作用,氧化層的厚度從60?-10000 ?。氧化溫度一般在900-1200℃。


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