哈默納科

N型半導體CSF-14-100-2A-GR

規格:CSF-14-100-2A-GR
產地:日本

n型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。

N型半導體，以電子為多數載流子的半導材料，n為negative(負)之意。n型半導體是通過引入施主型雜質而形成的。在純半導體材料中摻入雜質，使禁帶中出現雜質能級，若雜質原子能給出電子的，其能級為施主能級，該半導體為n型半導體。如將V族元素砷雜質加入到IV族半導體硅中。它能改變半導體的導電率和導電類型。對n型半導體，電子激發進入導帶成為主要載流子。例如，摻入第15(VA)族元素(磷、砷、銻、鉍等)的硅與鍺。也有某些固體總是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

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