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哈默納科

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH(Intrinsic carrier concentration)為本征半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度,常用值為300K。

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH有關,同樣材質的半導體,溫度越高,熱激發(fā)越強烈,本征載流子濃度越高;與禁帶寬度有關,同樣的溫度下,禁帶寬度越窄,電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶,本征載流子濃度越高。

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH本征半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度。

本征載流子濃度在硅(Si)中的計算公式為:

ni(T)=5.29×10(T/300)exp(?6726/T)

其中,絕對溫度T常用值為300K,此時硅的本征載流子濃度約為1.5*10^10 cm。

  • 半導體載流子計算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT),n和p為載流子濃度,個T為熱力學溫度,E(go)為為熱力學零度時破壞公價鍵所需的能量,k為玻耳茲曼常數(shù).
  • 半導體載流子即半導體中的電流載體。在物理學中,載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體中,存在兩種載流子,電子以及電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴)均被視為載流子。通常N型半導體中指自由電子,P型半導體中指空穴,它們在電場作用下能作定向運動,形成電流。


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