哈默納科

離子半導體CSG-58-160-2A-GR

規(guī)格:CSG-58-160-2A-GR
產(chǎn)地:日本

近日有消息顯示，萬業(yè)企業(yè) （600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進行離子注入晶圓驗證。

業(yè)內(nèi)人士指出，這標志著公司已具備先進制程的低能大束流離子注入整機工藝驗證的能力，未來有望為全球先進制程邏輯、存儲、5G射頻、攝像頭CIS、功率半導體等不同應用領域芯片客戶提供離子注入工藝驗證服務，提升客戶晶圓制造能力與芯片性能。

瞄準離子注入機夯實半導體產(chǎn)業(yè)鏈基礎

萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通聚力發(fā)展的集成電路離子注入機是半導體制造環(huán)節(jié)中工藝極為復雜且昂貴設備之一。離子注入是芯片制造前道工藝中一項必不可少的工藝，每個芯片的制造都需要進行20至25次的離子注入，因而離子注入機的研制是整個半導體產(chǎn)業(yè)的基礎。由于離子注入機的至關重要，其與光刻機、刻蝕設備和薄膜沉積設備被并稱為集成電路制造的“四大金剛”。

為快速突破集成電路國產(chǎn)化瓶頸，離子注入機作為芯片制造必不可少的關鍵設備之一，近年也受到國家政策的重點支持。2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》中明確指出離子注入機是發(fā)展我國集成電路產(chǎn)業(yè)的關鍵設備；2017年頒布《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務指導目錄》中列示集成電路離子注入機；2018年發(fā)布《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應用指導目錄》，將中束流、大束流以及高能離子注入機列入名單；近期，五部委聯(lián)合發(fā)布《關于調(diào)整重大技術(shù)裝備進口稅收政策有關目錄的通知》，離子注入機被納入享受相關稅收優(yōu)惠的范圍。從綱要到各類目錄，可見萬業(yè)企業(yè)專注研發(fā)的離子注入機等制造裝備已成為半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體騰升過程中必需啃下的硬骨頭。

挑戰(zhàn)尖端工藝低能大束流離子注入機成主流

隨著集成電路工藝技術(shù)的持續(xù)提升，晶體管不斷縮小，集成電路制程進一步向尖端工藝發(fā)展，這對相關生產(chǎn)制造設備也提出了更高的要求。在此背景下，萬業(yè)企業(yè)聚焦的技術(shù)含量最高的低能大束流離子注入機日漸成為主流。根據(jù)浦東投資的統(tǒng)計，目前低能大束流已占有離子注入機市場份額的55%。

結(jié)合國內(nèi)外集成電路制程技術(shù)路線現(xiàn)狀，凱世通采取“領先一步”的策略、采用有國際競爭力設計理念，著力研制16納米及以下制程的 FinFET 集成電路離子注入機，并針對研制低能大束流離子注入機所需要解決的關鍵技術(shù)和技術(shù)難點，建立起相應的研發(fā)平臺、相關核心關鍵技術(shù)及工藝的研究參數(shù)數(shù)據(jù)庫和性能檢測規(guī)范標準。

此次凱世通低能大束流離子注入機的遷機成功，進入離子注入晶圓驗證階段。其產(chǎn)品在低能和大束流等核心指標，特別是束流強度指標上，已達到或超過國外同類產(chǎn)品，因此可更好的降低單位成本消耗，滿足國內(nèi)集成電路行業(yè)實際應用。

模塑科技，北方華創(chuàng)，京滬高鐵，亞聯(lián)發(fā)展，延安必康，耐威科技，東睦股份，荃銀高科，麥達數(shù)字
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