發起的研究聯盟成為日本半導體產業技術趕超的發動機。為了應對美國IBM 在1978-1980 年計劃推出的VLSI（超大規模集成電路）新型計算機，日本通商產業省（日本舊中央省廳之一，承擔著宏觀經濟管理職能）于1976 年從所屬的電子技術綜合研究所中挑選出具備從IC 設計、制造到封測全工序能力的半導體，由其牽頭組織富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機組成了“VLSI 研究聯盟”，在1976-1980 年內針對先進的64K、256K 動態隨機存取存儲器（DRAM）基礎技術進行集中攻堅。該項目規劃的資金投入總計737 億日元，其中五家企業出資446 億日元，日本以提供免息貸款形式補助291 億日元。

20 世紀80 年代日本在DRAM 市場戰勝美國，占據全球半導體產業半壁江山。根據日本通產省數據，在4 年的時間里，該研究聯盟共提出了1200 多項專利、300 多項商業機密技術、發表了460 篇科技論文，并成功突破了1 微米加工制程。以DRAM 為例，1K、4K的DRAM 是美國于1970、1972 年研制出來的，但是16K 的DRAM 則是美、日于1976年同時研制出來的，到了64K 的DRAM，日本已經先于美國2 年，于1977 年成功推出，率先進入VLSI 時代，在之后256K、1000K 的DRAM 研制上，日本始終保持了領先地位。基于此，日本DRAM 的全球市場份額在20 世紀80 年代超越美國，在1986 年達到巔峰，接近80%，日本整個半導體產業的全球地位在隨之快速提升，根據Gartner 數據，1987年日本的NEC、東芝、日立位列全球前3 大半導體廠，前20 名中日企占據10 席。