[1]半導體中的雜質(zhì)對電導率的影響非常大，本征半導體經(jīng)過摻雜就形成雜質(zhì)半導體，一般可分為N型半導體和P型半導體。

半導體中摻入微量雜質(zhì)時，雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)生附加的雜質(zhì)能級。能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主(Donor)雜質(zhì)，相應能級稱為施主能級，位于禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺(或硅)原子形成共價鍵，多余的一個電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多，很易激發(fā)到導帶成為電子載流子，因此對于摻入施主雜質(zhì)的半導體，導電載流子主要是被激發(fā)到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為N型半導體。由于半導體中總是存在本征激發(fā)的電子空穴對，所以在n型半導體中電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。

雜質(zhì)半導體CSF-11-50-2A-GR相應地，能提供空穴載流子的雜質(zhì)稱為受主(Acceptor)雜質(zhì)，相應能級稱為受主能級，位于禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子與周圍四個鍺(或硅)原子形成共價結(jié)合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態(tài)就是受主能級。由于受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發(fā)到受主能級上填補這個空位，使受主雜質(zhì)原子成為負電中心。同時價帶中由于電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本征半導體情形下產(chǎn)生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數(shù)載流子，雜質(zhì)半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。在半導體器件的各種效應中，少數(shù)載流子常扮演重要角